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一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池及其制备方法 

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申请/专利权人:淮安捷泰新能源科技有限公司

摘要:本发明公开了一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池及其制备方法,属于TOPCon电池领域,在处理后的硅基底的背面先沉积第一隧穿氧化层和阻挡多晶硅层;随后在沉积后的阻挡多晶硅层上再次沉积第二隧穿氧化层和掺杂多晶硅层;再增加氧气流量,在背面形成二氧化硅膜掩蔽膜;后再进行背面磷扩散。本发明的有益效果是:通过上述工艺的改进可以大幅提升磷扩散的推进温度,提高晶化能力,并避免高温磷扩带来的内扩加大,保持不变维持良好的隧穿效应,维持了多晶硅层和隧穿层的接触钝化能力,最终使TOPCon电池的效率得到大幅度提升。

主权项:1.一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,将硅基底依次进行清洗制绒,正面硼扩散和刻蚀碱抛处理;步骤二,在处理后的硅基底的背面先沉积第一隧穿氧化层和阻挡多晶硅层;步骤三,在沉积后的阻挡多晶硅层上再次沉积第二隧穿氧化层和掺杂多晶硅层;步骤四,增加氧气流量,在背面形成二氧化硅膜掩蔽膜;步骤五,背面磷扩散;步骤六,依次进行清洗,钝化处理、丝网印刷和高温烧结。

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权利要求:

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