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一种非均质缝洞发育的水侵气藏图版建立方法 

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申请/专利权人:西南石油大学

摘要:本发明公开了一种非均质缝洞发育的水侵气藏图版建立方法,包括以下步骤:S1、对孔洞型、裂缝型和缝洞型大尺度岩样进行衰竭实验模拟开发过程;S2、通过CT扫描,分析岩样的孔缝洞分布,计算岩样孔隙、裂缝、溶洞占比和对目标储层渗透率的贡献率,以及体积占比积的无因次非均质系数;S3、建立裂缝、基质、溶洞封隔天然气的水体量和封隔天然气量的预测模型;S4、建立封闭气藏的物质平衡方程,基于物质平衡方程建立水侵气藏识别图版关系式,用于预测目标气藏的水侵响应规律。本发明所建立的水侵气藏识别图版更符合实际情况,拟合更为精确,易于现场应用,更适用于实际气藏的水侵认识。

主权项:1.一种非均质缝洞发育的水侵气藏图版建立方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、对孔洞型、裂缝型和缝洞型大尺度岩样进行衰竭实验模拟开发过程;S2、通过CT扫描,分析岩样的孔缝洞分布,计算岩样孔隙、裂缝、溶洞占比和对目标储层渗透率的贡献率,以及体积占比积的无因次非均质系数;S3、建立裂缝、基质、溶洞封隔天然气的水体量和封隔天然气量的预测模型;S4、建立封闭气藏的物质平衡方程,基于物质平衡方程建立水侵气藏识别图版关系式,用于预测目标气藏的水侵响应规律。

全文数据:

权利要求:

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