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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种多晶硅栅极的制造方法，通过第一次光刻，将第一光罩上的第一部分逻辑区栅极版图转印至第一光刻胶层上；对逻辑区的多晶硅材料层进行第一次刻蚀；接着通过第二次光刻，将第二光罩上的闪存区版图和第二部分逻辑区栅极版图转印至第二光刻胶层上；刻蚀闪存区的位线多晶硅层，同时对逻辑区的多晶硅材料层进行第二次刻蚀，以在逻辑区得到多晶硅栅极。本申请利用闪存区现有的多晶硅光刻、蚀刻工艺步骤，实现对逻辑区栅极多晶硅的多次光刻、蚀刻，在不需要额外增加专门制备逻辑区栅极的光罩的情况下，通过闪存器件制备工艺中已有的曝光加蚀刻步骤来改进逻辑区栅极多晶硅形貌，变相地降低了制造成本，提高了器件均匀性。
主权项：1.一种多晶硅栅极的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包含闪存区和逻辑区，所述逻辑区的衬底中形成有浅沟槽隔离结构，所述逻辑区的衬底上至少形成有多晶硅材料层；所述闪存区的衬底上至少形成有位线多晶硅层；在所述多晶硅材料层上涂覆第一光刻胶层；通过曝光、显影，将第一光罩上的第一部分逻辑区栅极版图转印至所述第一光刻胶层上，以得到图案化的第一光刻胶层；以图案化的第一光刻胶层为掩膜，对所述逻辑区的多晶硅材料层进行第一次刻蚀；在所述多晶硅材料层上涂覆第二光刻胶层；通过曝光、显影，将第二光罩上的闪存区版图和第二部分逻辑区栅极版图转印至第二光刻胶层上，以得到图案化的第二光刻胶层；以及以图案化的第二光刻胶层为掩膜，对所述闪存区的位线多晶硅层进行刻蚀，以及对所述逻辑区的多晶硅材料层进行第二次刻蚀，其中，通过对所述逻辑区的多晶硅材料层进行第一次刻蚀和第二次刻蚀，在所述逻辑区得到多晶硅栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 多晶硅栅极的制造方法
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