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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
摘要：本发明属于GaN微波功率器件技术领域，具体涉及掺铁GaN缓冲层和GaN微波功率器件的外延生长方法。本发明采用有机金属化学气相沉积法在SiC单晶衬底上生长AlN形核层；然后在所述AlN形核层上生长掺铁GaN缓冲层：反应室的压力为600~1000mbar；通入反应室的VIII比为100~300:1；Fe源和Ga源的摩尔通量比为1E‑5~1E‑3。本发明提供的掺铁GaN缓冲层的外延生长方法适用于MOCVD设备，在生长掺铁GaN缓冲层时通过调整反应腔的压力和VIII比，同时大量掺入Fe元素，在保证GaN晶体质量不变的情况下，实现高电阻率缓冲层的生长，适合大规模量产。
主权项：1.一种掺铁GaN缓冲层的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：采用有机金属化学气相沉积法在SiC单晶衬底上生长AlN形核层；然后在所述AlN形核层上生长掺铁GaN缓冲层；生长所述掺铁GaN缓冲层的条件包括：反应室的压力为600~1000mbar；反应室的温度为900~1000℃；向反应室中通入N源、Ga源和Fe源；所述N源中的N元素和所述Ga源中的Ga元素的摩尔通量比为100~300:1；Fe源中的Fe元素和Ga源中的Ga元素的摩尔通量比为1E-5~1E-3；所述掺铁GaN缓冲层中Fe元素的掺杂量为1E19~1E20cm-3。
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百度查询： 江苏能华微电子科技发展有限公司 掺铁GaN缓冲层和GaN微波功率器件的外延生长方法
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