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申请/专利权人：青岛海存微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其数据擦除方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：擦写层，以及顺次设置于所述擦写层之上的磁隧道结；所述擦写层用以通过改变所述磁隧道结阻态的方式擦除已存储数据；所述磁存储器结构还包括：擦写线；所述擦写线为线类结构，排布于所述磁隧道结下方，用以代替所述擦写层，通过改变所述磁隧道结阻态的方式擦除已存储数据。可见，本发明示意的磁存储器通过对磁存储器设置的磁隧道结下方加入擦写层或擦写线，通过擦写层或擦写线设置的擦写装置产生的场效应，使磁隧道结中自由层磁矩方向发生转变，进而影响磁隧道结阻态以及阻态对应的写入信息发生转变，实现对初始存储信息的擦除效果。
主权项：1.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器包括：擦写层，以及设置于所述擦写层之上的磁隧道结，所述磁隧道结的膜层结构包括自旋耦合层、自由层、势垒层以及固定层，所述擦写层和所述自旋耦合层为直接接触或非直接接触；所述擦写层设置有擦写装置，用以通过对所述磁隧道结施加场效应改变所述磁隧道结阻态的方式擦除已存储数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛海存微电子有限公司 一种磁存储器及其数据擦除方法
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