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用于半导体存储器装置的错误检查和擦除 

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申请/专利权人:美光科技公司

摘要:本申请案涉及用于半导体存储器装置的错误检查和擦除。描述用于存储器装置例如,DRAM的包含结合刷新操作的错误检查和擦除ECS程序的方法、系统和设备。所述ECS程序可当在码字中检测到错误时包含读取修改‑写入循环。在一些实施例中,所述存储器装置可在多个刷新命令内完成所述ECS程序,即通过在执行第一刷新命令时执行所述ECS程序的读取或读取修改部分,以及通过在执行第二刷新命令时执行所述ECS程序的写入部分来完成所述ECS程序。本文中所描述的所述ECS程序可有助于避免可在所述ECS程序和其它存储器操作之间出现的信令冲突或干扰。

主权项:1.一种存储器装置,包括存储器阵列错误校正码ECC电路,其与所述存储器阵列耦合;以及电路系统,其与所述存储器阵列和所述ECC电路耦合,所述电路系统被配置成:接收与执行与存储器单元的一或多个行相关联的错误检查和擦除ECS操作相关联的命令;至少部分地基于所述命令从所述一或多个行中的行读取码字,所述码字对应于与所述行相关联的一或多个地址;以及至少部分地基于从所述行读取所述码字而检测所述码字中的一或多个错误。

全文数据:

权利要求:

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