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申请/专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，正面金属层以及背面金属层预处理；所述正面金属层包括至少两层金属片，至少两层金属片包括靠近瓷片的第一金属片，至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔；步骤二，将正面金属层、瓷片以及背面金属层三者进行真空烧结。所述贯穿孔用于内嵌芯片。本专利通过在正面金属层上开设有贯穿孔，便于实现了对芯片的限位固定效果。相应的减薄了后期封装件的厚度。此外，可以实现芯片的热量从周向向外以及向下区域的金属层散热，大大的提高的散热范围。
主权项：1.一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，正面金属层以及背面金属层预处理；所述正面金属层包括至少两层金属片，至少两层金属片包括靠近瓷片的第一金属片，至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔；步骤二，将正面金属层、瓷片以及背面金属层三者进行真空烧结；步骤二中，正面金属层的所有金属片、瓷片以及背面金属层从上至下依次堆叠后真空钎焊；所述瓷片与所述第一金属片以及背面金属层之间涂覆有钎料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海富乐华半导体科技有限公司 一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法
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