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申请/专利权人：深圳奥简科技有限公司

摘要：本申请涉及一种抑制漏电的N型MOS管，该N型MOS管包括：P型衬底，通过N型区隔离出的隔离P阱，以及与P型衬底直接接触的连接P阱；隔离P阱上设置有P+区和N+区，隔离P阱用于生成N型MOS管的栅极，源极和漏极；隔离P阱在水平方向上的两侧设置有第一高压N阱，隔离P阱与P型衬底之间设置有第一N型掩埋层，第一N型掩埋层和第一高压N阱接触，形成对隔离P阱的隔离层；在水平方向上，第一高压N阱之外，还设置有至少一层增强隔离层，增强隔离层包括靠近隔离P阱的增强P阱和与增强P阱接触设置的第二高压N阱。以解决相关技术中的N型MOS管在体电压高于隔离电压，会发生漏电，容易导致N型MOS管工作异常的技术问题。

主权项：1.一种抑制漏电的N型MOS管，其特征在于，包括：P型衬底，通过N型区隔离出的隔离P阱，以及与所述P型衬底直接接触的连接P阱；所述隔离P阱上设置有P+区和N+区，所述隔离P阱用于在所述P+区和N+区上设置金属结构和氧化物结构，生成N型MOS管的栅极，源极，漏极和体极；所述隔离P阱在水平方向上的两侧设置有第一高压N阱，所述隔离P阱在竖直方向上设置在所述P型衬底的上方，且所述隔离P阱在竖直方向上与所述P型衬底之间设置有第一N型掩埋层，所述第一N型掩埋层和所述第一高压N阱接触，形成对所述隔离P阱的隔离层；在水平方向上，所述第一高压N阱之外，还设置有至少一层增强隔离层，所述增强隔离层包括靠近所述隔离P阱的增强P阱和与所述增强P阱接触设置的第二高压N阱；所述连接P阱设置在所述增强隔离层的水平外侧，与所述P型衬底相连；所述第一高压N阱的N+区和所述第二高压N阱的N+区，通过隔离电压端，连接第一PNP三极管的基极；所述增强P阱的P+区，连接所述第一PNP三极管的集电极；体电压端连接所述第一PNP三极管的发射极；所述第一PNP三极管的基极和集电极短接；所述第一高压N阱的N+区和所述第二高压N阱的N+区，通过所述隔离电压端，连接第二PNP三极管的基极；所述连接P阱的P+区，连接所述第二PNP三极管的集电极；所述体电压端连接所述第一PNP三极管的发射极；其中，所述第一PNP三极管和所述第二PNP三极管是由N型MOS管结构中的阱区构成的寄生器件；所述第一PNP三极管由所述N型MOS管结构中的所述隔离P阱、所述第一高压N阱与所述第一N型掩埋层、所述增强P阱构成；其中，所述隔离P阱为所述第一PNP三极管的发射极，所述第一高压N阱与所述第一N型掩埋层为所述第一PNP三极管的基极，所述增强P阱为所述第一PNP三极管的集电极；所述第二PNP三极管由所述N型MOS管结构中的所述隔离P阱、所述第一高压N阱、所述第二高压N阱、所述第一N型掩埋层、所述连接P阱构成；其中，所述隔离P阱为所述第二PNP三极管的发射极，所述第一高压N阱、所述第二高压N阱与所述第一N型掩埋层为所述第二PNP三极管的基极，所述连接P阱为所述第二PNP三极管的集电极。

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