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申请/专利权人：合肥工业大学
摘要：本发明公开了一种基于稀土氧氯化物LaOCl介电薄膜的制备及LaOClMoS2场效应晶体管的构筑方法。本发明采用溶液法制备LaOCl介电薄膜，薄膜内没有针孔或小丘，较为平整；利用P‑Si基体作为导电栅极对半导体MoS2沟道进行调控构筑LaOClMoS2场效应晶体管后，可显著调控多层MoS2的输出特性。本发明方法能够实现大面积LaOCl制备，有望能促进场效应晶体管的发展。
主权项：1.一种基于稀土氧氯化物LaOCl介电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：清洗衬底，将P-Si100晶圆切割为所需尺寸后依次用去离子水、丙酮、无水乙醇进行清洗，清洗后用N2吹干，并利用紫外臭氧进行清洗；步骤2：将LaCl3六水合物溶于N，N-二甲基酰胺中，获得透明前驱体溶液；步骤3：将步骤2获得的前驱体溶液涂覆在步骤1的衬底上，并在加热板上进行预退火处理；步骤4：步骤3预退火后的薄膜迅速放入马弗炉进行二次退火得到LaOCl介电薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥工业大学 一种基于稀土氧氯化物LaOCl介电薄膜的制备及LaOCl/MoS2场效应晶体管的构筑方法
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