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一种混合离子体系的双射频囚禁与势场匹配方法 

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申请/专利权人:西安空间无线电技术研究所

摘要:本发明涉及一种混合离子体系的双射频普适性囚禁与势场匹配方法,属于冷离子频率标准技术领域。建立离子阱双射频动态束缚模型,量化分析了双射频势场下单组份离子体系的等效赝势模型、稳定束缚条件、微运动与久期运动的三维关联耦合特征,通过分析离子的微运动瞬态过程,界定第二囚禁频率的临界绝热束缚强度。匹配轻离子的高频囚禁势频率及幅度,实现轻离子的准绝热稳定囚禁。匹配重离子的低频囚禁势频率,有效抑制低频势对轻离子的谐振激发效应和微运动加热效应。在维持重离子准绝热外态操控的同时,通过提升低频势场强度,改善大质荷比差异混合三维离子体系的空间耦合强度和动力学模式匹配效率,实现外态高效协同作用、甚至振动基态冷却。

主权项:1.一种混合离子体系的双射频囚禁与势场匹配方法,其特征在于该方法的步骤包括:第一步,建立离子阱双射频囚禁模型;第二步,基于第一步中建立的离子阱双射频囚禁模型,评估低频囚禁势场对离子体系稳定囚禁参数及动力学耦合特性的影响,具体步骤如下:双射频囚禁场中高频囚禁势场为Ωrf1,Urf1,低频囚禁势场为Ωrf2,Urf2,当用于囚禁离子的低频囚禁势场Ωrf2,Urf2处于最佳稳定囚禁区域同时高频囚禁势场Ωrf1,Urf1处于极弱束缚参数区域时,离子体系的双射频囚禁动力学特性使用低频囚禁势场表征;其中,Ωrf1为高频囚禁势场的频率;Urf1为高频囚禁势场的幅值;Ωrf2为低频囚禁势场的频率;Urf2为低频囚禁势场的幅值;当用于囚禁离子的高频囚禁势场Ωrf1,Urf1处于最佳稳定囚禁区域,同时高频囚禁势场下的久期运动频率ωrf1与低频囚禁势场频率之间满足ωrf1=mΩrf22时,m为整数,m<n,低频囚禁势场频率需远离离子的高频囚禁势场下的久期运动频率;第三步,对轻离子高频囚禁势场与重离子低频囚禁势场的耦合匹配;第四步,对射频加热效应进行优化抑制;第五步,对双组份离子的动力学进行模式匹配;第六步,协同冷却效率的评估;基于离子的荧光线型反演离子温度或基于含时位置矢量与荧光成像比对,反演离子的平衡态温度。

全文数据:

权利要求:

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