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申请/专利权人:四川和晟达电子科技有限公司;江苏和达电子科技有限公司
摘要:本发明涉及蚀刻液技术领域,具体为一种Cu、MoNbCu、MTDCuMo用无氟蚀刻液及其制备方法,按质量百分比计,至少包括:双氧水12‑25%、螯合剂0.5‑4%、抑制剂0.01‑2%、蚀刻剂0.1‑5%、磺酸及其盐类化合物0.1‑3%、氨基酸0.01‑3%、烷基胺0.01‑1%、去离子水补充余量,在不使用氟化合物的情况下,对包括铜和MTD合金、铜和MoNb合金在内的多层膜具有优异的蚀刻性能,使残留不良最小化,并且不会损坏玻璃基板,从而易于蚀刻再生。
主权项:1.一种Cu、MoNbCu、MTDCuMo用无氟蚀刻液,其特征在于,按质量百分比计,至少包括:双氧水12-25%、螯合剂0.5-4%、抑制剂0.01-2%、蚀刻剂0.1-5%、磺酸及其盐类化合物0.1-3%、氨基酸0.01-3%、烷基胺0.01-1%、去离子水补充余量。
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