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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：公开了一种用于对光刻设备总体中的特定光刻设备进行光刻设备设置校准和或漂移校正的方法，光刻设备总体将在用于制造跨衬底上多个层延伸的集成电路的制造工艺中使用。该方法包括：针对光刻设备总体中的每个光刻设备和或多个层中的每个层，确定设备参数跨衬底上的空间坐标的空间误差分布；通过聚合每个空间误差分布来确定参考分布，以优化参考分布，使得制造工艺的感兴趣参数的空间分布跨光刻设备总体和或多个层被共同优化；以及使用参考分布作为每个光刻设备和或层的设备参数的目标分布。
主权项：1.一种用于对光刻设备总体中的特定光刻设备执行光刻设备设置校准和或漂移校正的方法，所述光刻设备总体将在用于制造跨衬底上的多个层延伸的集成电路的制造工艺中使用，所述方法包括：针对所述光刻设备总体中的每个光刻设备和或所述多个层中的每个层，确定设备参数跨所述衬底上的空间坐标的空间误差分布；通过聚合所述空间误差分布中的每个空间误差分布来确定参考分布，以优化所述参考分布使得所述制造工艺的感兴趣参数的空间分布跨所述光刻设备总体和或所述多个层被共同优化；以及使用所述参考分布作为每个光刻设备和或层的所述设备参数的目标分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 光刻工艺和相关装置的设置和控制方法
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