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申请/专利权人：国际商业机器公司
摘要：公开了一种系统的实施例。该系统包括半导体结构。半导体结构包括晶片、多个晶体管和设置在晶片背面上的磁阻随机存取存储器MRAM单元。晶体管设置在晶片的前端线FEOL上。MRAM单元通过设置在晶片背面上的触点连接到晶体管的源极‑漏极。晶体管通过至少一个触点与MRAM单元直接电接触。
主权项：1.一种系统，包括：晶片；多个晶体管，设置在所述晶片的前端线FEOL上；以及磁阻随机存取存储器MRAM单元，设置在所述晶片上，其中：所述MRAM单元设置在所述晶片的背侧上；所述MRAM单元通过设置在所述晶片的背面上的触点连接到所述晶体管的源极-漏极；并且所述多个晶体管与所述MRAM单元直接电接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国际商业机器公司 嵌入式磁阻随机存取存储器
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