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申请/专利权人：广州增芯科技有限公司
摘要：本发明提供了一种集成多晶硅电阻及制备方法、半导体结构及制备方法，所述集成多晶硅电阻的主体为多晶硅层，所述多晶硅层设置于晶圆衬底表面，所述集成多晶硅电阻的两端至少各设置一个电阻的接触端；两个所述接触端之间的多晶硅层的表面上排布预设图案的金属硅化物层，以调节所述多晶硅层的阻值。由于金属硅化物层的图案排布对所述多晶硅层的阻值影响较大，因此通过调整预设的金属硅化物层的图案排布可以很大程度上调节集成多晶硅电阻的阻值，从而提高了调节所述集成多晶硅电阻的阻值范围。
主权项：1.一种半导体工艺中的集成多晶硅电阻，其特征在于，所述集成多晶硅电阻的主体为多晶硅层，所述多晶硅层设置于晶圆衬底表面，所述集成多晶硅电阻的两端至少各设置一个电阻的接触端；两个所述接触端之间的多晶硅层的表面上排布预设图案的金属硅化物层，以调节所述多晶硅层的阻值。
全文数据：
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百度查询： 广州增芯科技有限公司 集成多晶硅电阻及制备方法、半导体结构及制备方法
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