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申请/专利权人：江苏宁锦技术有限公司
摘要：本实用新型涉及微波无源器件技术领域，尤其涉及一种水平垂直交叉耦合全封闭粘结层的双层基片集成波导滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、粘结层和下层单元，上层单元的两个谐振腔与下层单元的谐振腔通过位于中间层金属的金属开槽形成垂直耦合，上层单元的两个谐振腔通过由金属孔构成的耦合窗口形成水平耦合，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构，可为滤波器增加一个传输零点，垂直耦合结构可使得三个矩形谐振腔位于不同的平面上，减少了滤波器的水平面积，粘结层因金属化通孔阵列形成全封闭式谐振腔，可以将杂散减少至一个谐振点，在提升了滤波器选择性的情况下，实现了小型化。
主权项：1.水平垂直交叉耦合全封闭粘结层的双层基片集成波导滤波器，其特征在于，包括从上往下堆叠的上层单元、粘结层9和下层单元，所述上层单元包括第一金属层3、第二金属层4和上层单元的介质基片7，所述下层单元包括第三金属层5、第四金属层6和下层单元的介质基片8；所述上层单元、粘结层9和下层单元中有贯穿第一金属层3和第四金属层6的第一金属化通孔阵列10，所述上层单元的介质基片7中有贯穿第一金属层3和第二金属层4的第二金属化通孔阵列11，所述下层单元的介质基片8中有贯穿第三金属层5和第四金属层6的第三金属化通孔阵列12；所述上层单元上形成有左侧矩形谐振腔R1和右侧矩形谐振腔R3，所述下层单元上形成有矩形谐振腔R2,所述第二金属层4和第三金属层5均开设有耦合槽，所述左侧矩形谐振腔R1和矩形谐振腔R2通过耦合槽形成垂直耦合，所述矩形谐振腔R2和右侧矩形谐振腔R3通过耦合槽形成垂直耦合，左侧矩形谐振腔R1和右侧矩形谐振腔R3通过第二金属化通孔阵列11构成的耦合窗形成水平耦合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏宁锦技术有限公司 水平垂直交叉耦合全封闭粘结层的双层基片集成波导滤波器
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