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申请/专利权人：安建科技(深圳)有限公司

摘要：一种逆导型功率半导体器件及其制造方法，本发明涉及功率半导体器件领域，针对现有RC‑IGBT器件中存在的问题，本发明通过在二极管部分正面结构消除第二导电型的重掺杂第六半导体区，从而去除二极管部分的寄生晶闸管结构，进一步提升RC‑IGBT整体的抗闩锁能力，设计二极管部分的第二接触沟槽的宽度和深度分别大于IGBT部分第一接触沟槽的宽度和深度，从而增大IGBT部分第一导电型的重掺杂第七半导体区的面积，以增强IGBT部分的抗闩锁能力，发明的RC‑IGBT器件可以在不影响器件制造成本的基础上，改善二极管模式下的反向恢复特性（Qrr和Erec）、提升器件抗闩锁能力，实现RC‑IGBT的IGBT和二极管特性更好的折中关系。

主权项：1.一种逆导型功率半导体器件，所述的器件包括有集电极，所述的集电极上方并列设有第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，所述的第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层上方设有第二导电型的第三半导体层，所述的第二导电型的第三半导体层上方设有第二导电型的轻掺杂第四半导体漂移区，所述的第二导电型的轻掺杂第四半导体漂移区的正面结构中设有一系列栅槽、设于栅槽内的栅电极、位于栅槽之间的第一导电型的第五半导体区、位于第一导电型的第五半导体区上方的和所述的栅槽平行的接触沟槽、第一导电型的重掺杂第七半导体区和用于隔离栅电极与发射极电极的绝缘层，所述的发射极电极的填充材料向下延伸填充至所述的接触沟槽内，器件顶部设有发射极电极；其特征在于，所述第一导电型的第一半导体层与正面结构形成器件的IGBT部分，所述第二导电型的第二半导体层与正面结构形成器件的二极管部分，所述的IGBT部分的第一导电型的重掺杂第七半导体区上方还设有第二导电型的重掺杂第六半导体区；所述的接触沟槽分为位于IGBT部分的第一接触沟槽和位于二极管部分的第二接触沟槽，所述的第一接触沟槽侧壁与相邻的第二导电型的重掺杂第六半导体区和第一导电型的重掺杂第七半导体区形成欧姆接触，其底部与第一导电型的第五半导体区形成肖特基接触；所述第二接触沟槽侧壁与相邻的第一导电型的重掺杂第七半导体区形成欧姆接触，其底部与第一导电型的第五半导体区形成肖特基接触;所述第二接触沟槽的宽度和深度均大于所述第一接触沟槽的宽度和深度，所述第二接触沟槽的深度大于第一导电型的重掺杂第七半导体区结深小于且所述第一导电型的第五半导体区的结深;二极管部分的第一导电型的重掺杂第七半导体区大于IGBT部分的第一导电型的重掺杂第七半导体区。

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