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申请/专利权人：3-5电力电子有限责任公司
摘要：包括GaAs或者由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管具有高n型掺杂的阴极层、高p型掺杂的阳极层和布置在所述阴极层和所述阳极层之间的漂移区，其中，所述漂移区具有低n型掺杂的漂移层和低p型掺杂的漂移层，所述n型掺杂的漂移层布置在所述p型掺杂的漂移层和所述阴极层之间，两个漂移层分别具有至少5μm的层厚度并且沿着相应的层厚度具有最高8·1015cm‑3的掺杂剂浓度最大值，所述两个漂移层的掺杂剂浓度最大值彼此之间具有0.1至10的比值，并且，所述n型掺杂的漂移层的层厚度与所述p型掺杂的漂移层的层厚度的比值在0.5至3之间。
主权项：1.一种堆叠状的III-V族半导体二极管10，所述堆叠状的III-V族半导体二极管包括GaAs或者由GaAs组成，所述堆叠状的III-V族半导体二极管具有：-高n型掺杂的阴极层12，-高p型掺杂的阳极层16，以及-漂移区14，所述漂移区布置在所述阴极层12与所述阳极层16之间，-所述漂移区14具有低n型掺杂的漂移层14.1和低p型掺杂的漂移层14.2，-所述低n型掺杂的漂移层14.1布置在所述低p型掺杂的漂移层14.2与所述阴极层12之间，其特征在于，-两个漂移层14.1，14.2分别具有至少5μm的层厚度Dn，Dp并且沿着相应的层厚度Dn，Dp具有最高8·1015cm-3的掺杂剂浓度最大值，-所述两个漂移层14.1，14.2的掺杂剂浓度最大值彼此之间具有0.1至10的比值，并且，-所述低n型掺杂的漂移层的层厚度Dn与所述低p型掺杂的漂移层的层厚度Dp的比值在0.5至3之间，所述阳极层16具有第一区段12.1，16.1和第二区段12.2，16.2，所述第二区段布置在所述第一区段12.1，16.1与所述漂移区14之间，所述第一区段具有恒定的掺杂剂浓度变化过程，所述第二区段具有在朝向所述第一区段12.1，16.1的方向上台阶状上升的掺杂剂浓度变化过程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 3-5电力电子有限责任公司 堆叠状的III-V族半导体二极管
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