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申请/专利权人：巴沃(镇江)光电子科技有限公司
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器及其制作方法。包括二氧化硅衬底和阵列分布于二氧化硅衬底上表面的全介质超表面结构单元，所述全介质超表面结构单元为弧面朝上的半圆柱结构体，所述半圆柱结构体的轴线与x轴平行；其中，x轴沿二氧化硅衬底宽度方向，y轴沿二氧化硅衬底长度方向，z轴沿二氧化硅衬底厚度方向。极大的提高了全介质传感器的品质因数，进一步提高了全介质超表面传感器的分辨率。
主权项：1.一种全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器，其特征在于：包括二氧化硅衬底1和阵列分布于二氧化硅衬底1上表面的全介质超表面结构单元，所述全介质超表面结构单元为弧面朝上的半圆柱结构体2，所述半圆柱结构体2的轴线与x轴平行；其中，x轴沿二氧化硅衬底1宽度方向，y轴沿二氧化硅衬底1长度方向，z轴沿二氧化硅衬底1厚度方向；所述半圆柱结构体2上设有从顶部向下延伸的缺陷槽201，所述缺陷槽201沿轴向贯穿所述半圆柱结构体2。
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百度查询： 巴沃(镇江)光电子科技有限公司 全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器及其制作方法
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