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申请/专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
摘要：本申请公开了一种调节IGBT开通和关断损耗比例的结构，包括第一接地沟槽、第一门极沟槽、发射极接触、第二门极沟槽及第二接地沟槽；第一接地沟槽和第一门极沟槽之间有第一无源台面，第一无源台面上设有发射极接触；第一门极沟槽和第二门极沟槽之间有源台面，有源台面还设有发射极接触；第二门极沟槽和第二接地沟槽之间设有第二无源台面，第二无源台面上设有发射极接触；在第一无源台面和第二无源台面的发射极接触被分隔成第一P阱和第二P阱，第一P阱和第二P阱之间通过高阻通路联通，第一P阱或第二P阱其中一个的第一侧通过氧化层与发射极金属连接。在本申请控制开通损耗关断损耗比例可以被精准的分配以达到开通损耗与关断损耗的最优值。
主权项：1.一种调节IGBT开通和关断损耗比例的结构，其特征在于，包括：第一接地沟槽、第一门极沟槽、发射极接触、第二门极沟槽以及第二接地沟槽；在所述第一接地沟槽和所述第一门极沟槽的第一侧之间具有第一无源台面，在所述第一无源台面上还设有发射极接触；所述第一门极沟槽的第二侧和所述第二门极沟槽的第一侧之间具有源台面，在所述有源台面还设有发射极接触；所述第二门极沟槽的第二侧和所述第二接地沟槽之间还设有第二无源台面，在所述第二无源台面上还设有发射极接触；在所述第一无源台面和所述第二无源台面的所述发射极接触均被阻塞沟槽分隔成第一P阱和第二P阱，其中，所述第一P阱和所述第二P阱之间通过高阻通路实现联通；所述第一P阱和所述第二P阱之间以所述第一门极沟槽所述第二门极沟槽与所述阻塞沟槽形成的高阻通路实现联通。
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权利要求：
百度查询： 上海擎茂微电子科技有限公司 一种调节IGBT开通和关断损耗比例的结构
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