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申请/专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
摘要：本发明提供了一种沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管与制备方法，引入类似于沟槽IGBT的结构，会改变由集电极经N+衬底射入的自由载流子直接经过N‑漂移区到发射极的路径，而是让自由载流子经由栅极路径。在这个过程中，少数载流子会被快速地去除，使得开关损耗降低，增强了N‑漂移区的电导调制效应。其中，当沟槽型SiCMCT工作在阻断状态时，栅源电压会变成零电位或负电位，由P型基区和N‑漂移区所形成的PN结以及栅电极和N‑型漂移区之间组成的MOS结构，这两部分来承担源漏间的高压，具有更高的耐压能力；当器件工作在正向导通状态时，P‑基区可以抑制栅氧化层中的高电场，实现较强的电导调制效应，降低正向导通电压。
主权项：1.一种沟槽型碳化硅门极可关断晶闸管，其特征在于，包括：集电极、N++衬底、N-集电区、P-基区、N-发射区、P+接触源极区、N+接触源极区、源极S、栅极G、栅极绝缘层和栅介质；所述集电极上方设有N++衬底；所述N++衬底上方设有N-集电区；在N-集电区左侧从下至上依序包含P-基区和P-基区上方的N-发射区，所述P+接触源极区与N+接触源极区设置于N-发射区且P+接触源极区位于N+接触源极区两侧；所述源极S在该P+接触源极区与N+接触源极区上方；在N-集电区右侧设置栅极G，栅极G设置于N++衬底上方相应的沟槽中并分别在沟槽侧壁形成栅极绝缘层，填充形成栅介质；所述沟槽由上至下分别由P+接触源极区、N-发射区、P-基区垂直延伸至N-集电区；所述沟槽正面有源极S和栅极G两个电极，源极S和栅极G两个电极的金属之间淀积绝缘层。
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权利要求：
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