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申请/专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学

摘要：本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。

主权项：1.一种抗单粒子加固功率器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区，其设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，所述第二阳极区位于所述第一阳极区正上方，且所述第二阳极区与所述第一阳极区接触形成堆叠结构，所述第一阳极区和所述第二阳极区均为第二导电类型，且所述第一阳极区的掺杂浓度低于所述第二阳极区的掺杂浓度，所述第一阳极区的掺杂浓度高于所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述第二阳极区；所述阳极结构包括：栅氧化层，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，且所述栅氧化层分别接触所述第一导电类型漂移区和所述第二导电类型体区；第一导电类型多晶硅层，其设置于所述栅氧化层背离所述第一导电类型漂移区的一侧；金属阳极区，其跨接在所述栅氧化层和所述第一导电类型多晶硅层上，所述金属阳极区与所述第二导电类型体区形成肖特基接触；其中，在正向导通时，所述栅氧化层和所述第二导电类型体区的接触处形成电子导通通道；隔离层，其设置于所述第一阳极区和第二阳极区靠近所述第二导电类型体区的一侧，通过所述隔离层、所述第一阳极区以及所述第二阳极区配合以调节器件内部电场分布，所述隔离层位于所述第一阳极区以及第二阳极区形成的堆叠结构与所述第一导电类型漂移区之间；所述第二阳极区、所述第一导电类型漂移区、所述第二导电类型体区顶表面齐平；其中，在正向导通时，所述第一阳极区、所述第二阳极区以及所述阳极结构之间形成空穴导通通道。

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