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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构，包括P型的衬底，在衬底表面进行N型杂质注入形成有N型的埋层，在衬底上形成有P型的外延层，在外延层上形成有N型的深阱；在深阱上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区；在深阱上形成有深沟槽，深沟槽自浅沟槽的隔离的上表面延伸至衬底上；在深沟槽的底部形成有N型掺杂层，深沟槽中填充有深沟槽隔离；形成于深阱上的N阱，N阱上形成有N型重掺杂区。本发明在深沟槽隔离底部增加N型掺杂层，在耗尽区内可拉起一个较高的峰值电场，提高击穿电压，深沟槽隔离底部增加N型掺杂层，这样可以隔断两侧的轻掺杂P型区域，有效缓解击穿后的负阻现象，提高Vhold维持电压。
主权项：1.一种深沟槽隔离结构，其特征在于，包括：P型的衬底，所述P型的衬底分为底部的高掺杂部分和其上的低掺杂部分，在所述衬底表面进行N型杂质注入形成有N型的埋层，在所述衬底上形成有P型的外延层，在所述外延层上形成有N型的深阱；在所述深阱上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区；在所述深阱上形成有深沟槽，所述深沟槽自所述浅沟槽的隔离的上表面延伸至所述衬底上；在所述深沟槽的底部形成有N型掺杂层，以连接所述P型的衬底的高掺杂部分，所述深沟槽中填充有深沟槽隔离；形成于深阱上的N阱，所述N阱上形成有N型重掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽隔离结构及其制造方法
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