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申请/专利权人：三菱化学株式会社;株式会社日本制钢所

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117897521A

专利技术分类：..氮化物[2006.01]

专利摘要：一种特定的晶体缺陷少的高品质的氮化镓晶体，其含F，F以外的卤素元素的含量合计为F的含量的1100以下，所述氮化镓晶体具有相对于000‑1晶面的倾斜度为0度以上且10度以下的主表面1，该主表面1为满足条件A1～A3中的至少任一个的特定主表面A；能够画出第一线段和第二线段，所述第一线段是在特定主表面A上沿第一方向延伸的长40mm的假想线段，所述第二线段是在该特定主表面A上沿与该第一方向垂直的第二方向延伸的长40mm的假想线段，A1在特定主表面A上的任意10mm×10mm的正方形区域中的小面生长区域密度不超过500cm‑2；A2在特定主表面A中发现至少一个小面生长区域密度小于5cm‑2的20mm×20mm的正方形区域；A3小面生长区域面积的总和特定主表面A的面积为40％以下。

专利权项：1.一种氮化镓晶体，其含F，F以外的卤素元素的含量合计为F的含量的1100以下，所述氮化镓晶体具有相对于000-1晶面的倾斜度为0度以上且10度以下的主表面1，该主表面1为满足下述条件A1～A3中的至少任一个的特定主表面A：A1能够画出第一线段和第二线段，所述第一线段是在该特定主表面A上沿第一方向延伸的长40mm的假想线段，所述第二线段是在该特定主表面A上沿与该第一方向垂直的第二方向延伸的长40mm的假想线段，并且在特定主表面A上的任意10mm×10mm的正方形区域中的小面生长区域密度不超过500cm-2；A2能够画出第一线段和第二线段，所述第一线段是在该特定主表面A上沿第一方向延伸的长40mm的假想线段，所述第二线段是在该特定主表面A上沿与该第一方向垂直的第二方向延伸的长40mm的假想线段，并且在特定主表面A中发现至少一个小面生长区域密度小于5cm-2的20mm×20mm的正方形区域；A3能够画出第一线段和第二线段，所述第一线段是在该特定主表面A上沿第一方向延伸的长40mm的假想线段，所述第二线段是在该特定主表面A上沿与该第一方向垂直的第二方向延伸的长40mm的假想线段，并且小面生长区域的面积总和相对于特定主表面A的面积的比率即小面生长区域面积的总和特定主表面A的面积为40％以下。

百度查询： 三菱化学株式会社 株式会社日本制钢所 氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法