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申请/专利权人：云南先导新材料有限公司
摘要：本发明提出了一种半导体晶圆测试探针用钯合金及其制备方法与应用，属于探针材料技术领域。本发明的钯合金按质量百分比计原料包括：Cu35~40%和Ag8~13%，余量为Pd、痕量元素和微量元素；所述痕量元素包括B、Si、Mn和Al中的至少一种；所述微量元素包括Nb、Ti、Ta、Ru、W、Mo、V和Fe中的至少一种，该钯合金可进一步用于制备半导体晶圆测试用钯合金探针。本发明制备得到的半导体晶圆测试探针用钯合金具有较低的电阻率、高的导电率、高强韧性和热稳定性，制备方法较传统的制备方法生产效率高、原料损耗少、适于批量工业化低成本生产。
主权项：1.一种半导体晶圆测试探针用钯合金，其特征在于，按质量百分比计，原料包括：Pd50~51.4%、Cu35~37%、Ag9~12%、微量元素1~2.1%和痕量元素；所述痕量元素包括B、Si、Mn和Al，所述B质量百分比为0~0.001%，所述Si质量百分比为0~0.05%，所述Mn质量百分比为0.0001~0.03%，所述Al质量百分比为0.0001~0.02%；所述微量元素包括Nb、Ti、Ta、Ru、W、Mo、V和Fe中的至少一种；所述半导体晶圆测试探针用钯合金的制备方法，包括以下步骤：将Cu、Pd、痕量元素和微量元素混合，进行电磁感应熔炼处理，得到中间合金，将Pd、Ag、Cu与所述中间合金熔铸后得到所述半导体晶圆测试探针用钯合金；所述电磁感应熔炼处理的温度为1300~2000℃，时间为3~5min，所述熔铸的温度为1200~1700℃，时间为5-8min。
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百度查询： 云南先导新材料有限公司 一种半导体晶圆测试探针用钯合金及其制备方法与应用
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