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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：采用促进半导体管芯“管芯”的重新分布层RDL中介体的三维3D集成电路IC3DIC封装件和相关制造方法。该3DIC封装件包括RDL中介体，该RDL中介体具有邻近第一底部管芯形成的一个或多个RDL金属化层。第二顶部管芯堆叠在该RDL中介体上。该RDL中介体提供了顶部管芯可耦合的扩展管芯区域，使得该3DIC封装件的制造过程不依赖于管芯尺寸。该底部管芯可经切割并且设置在RDL金属化层中作为重构RDL中介体的部分，而不管该顶部管芯是大于还是小于该底部管芯的尺寸。此外，该RDL中介体作为该底部管芯设置在其中并且该顶部管芯耦合在其中的基板，提供到该顶部管芯和该底部管芯的高效信号路由路径。
主权项：1.一种集成电路IC封装件，包括：中介体，所述中介体包括：第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；和一个或多个RDL金属化层，所述一个或多个RDL金属化层位于所述第一表面与所述第二表面之间；第一管芯，所述第一管芯设置在所述中介体中，所述第一管芯包括耦合到所述一个或多个RDL金属化层中的第一RDL金属化层中的第一金属互连件的第一管芯互连件；和第二管芯，所述第二管芯耦合到所述中介体的所述第一表面，所述第二管芯包括耦合到所述第一RDL金属化层的第二管芯互连件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 采用促进半导体管芯堆叠的重新分布层（RDL）中介体的三维（3D）集成电路（IC）（3DIC）封装件和相关制造方法
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