龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻设置的第一区、第二区和第三区，且第三区位于第一区和第二区之间，基底内具有位于第一区的第一鳍部和位于第二区的第二鳍部；在基底上、第一鳍部的侧壁和顶部以及第二鳍部的侧壁和顶部上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成介质层；刻蚀第一区的所述介质层，暴露出刻蚀停止层，形成第一沟槽；刻蚀第二区的所述介质层，暴露出刻蚀停止层，形成第二沟槽；刻蚀第一沟槽底部的第一鳍部，在第一鳍部内形成第一子沟槽；刻蚀第二沟槽底部的所述第二鳍部，在第二鳍部内形成第二子沟槽。本发明改变工艺的局限性、提高图形设计的灵活性，使得半导体器件的性能得到提高。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供基底，所述基底包括相邻设置的第一区、第二区和第三区，且所述第三区位于所述第一区和所述第二区之间，所述基底内具有位于所述第一区的第一鳍部和位于所述第二区的第二鳍部；在所述基底上、所述第一鳍部的侧壁和顶部以及所述第二鳍部的侧壁和顶部上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成介质层；刻蚀所述第一区的所述介质层，暴露出所述刻蚀停止层，形成第一沟槽；刻蚀所述第二区的所述介质层，暴露出所述刻蚀停止层，形成第二沟槽；刻蚀所述第一沟槽底部的所述第一鳍部，在所述第一鳍部内形成第一子沟槽；刻蚀所述第二沟槽底部的所述第二鳍部，在所述第二鳍部内形成第二子沟槽；在所述第一子沟槽内形成第一掺杂层，所述第一掺杂层关于所述第一鳍部平行于所述基底表面方向的中心轴非对称分布；在所述第二子沟槽内形成第二掺杂层，所述第二掺杂层关于所述第二鳍部平行于所述基底表面方向的中心轴非对称分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号