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申请/专利权人：蒙德无线公司
摘要：为了降低成本以及为了有效地消散某些RF电路中的热量，电路的半导体器件可以包括一个或多个有源器件，例如由第一半导体材料系统形成的晶体管、二极管和或变容二极管，其被集成到例如，接合到包括其他电路部件的由第二半导体材料系统形成的基底衬底上。第一半导体材料系统例如可以是III‑V或III‑N半导体系统，并且第二半导体材料系统例如可以是硅。
主权项：1.一种半导体器件，包括：基底衬底，包括：包括半导体或绝缘体材料的衬底层，所述衬底层具有正面和与正面相对的背面；第一多个通孔，每个通孔延伸穿过衬底层的整个厚度；第一多个通孔的每个通孔中的第一金属材料；背面金属材料，覆盖衬底层的背面并接触第一多个通孔的每个通孔中的第一金属材料；和衬底层的正面上的互连金属；和连接到基底衬底的晶体管，所述晶体管包括：一种III-N材料结构，包括：III-N阻挡层；在III-N阻挡层的N面上的III-N沟道层，其中III-N阻挡层具有比III-N沟道层更大的带隙；和与III-N沟道层和III-N阻挡层之间的界面相邻的III-N沟道层中的2DEG沟道；和多个触点，所述多个触点包括源极触点、漏极触点和栅极触点，其中所述源极、栅极和漏极触点在所述III-N沟道层的与所述III-N阻挡层相对的一侧上，并且所述源极和漏极触点电连接到所述2DEG沟道；其中晶体管在基底衬底的正面上方，使得基底衬底的衬底层在背面金属和晶体管之间，并且第一多个通孔的第一通孔中的第一金属材料通过一种或多种接合材料电连接到多个触点的第一触点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 蒙德无线公司 用于RF集成电路的半导体器件
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