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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片，通过在第三N柱上设置栅极介质层、栅极多晶硅层，并在第三N柱与第二P柱之间设置掺杂浓度较高的第一N柱，在第三N柱与第三P柱之间设置掺杂浓度较高的第二N柱，在第一P柱与第一N柱之间设置较高掺杂浓度的第二P柱，在第二N柱与第四P柱之间设置较高掺杂浓度的第三P柱，使得器件内的电场更加均匀，器件在击穿时，器件内的电流分布可以更加均匀，提升了器件的击穿电压和雪崩耐量。
主权项：1.一种改善雪崩耐量的超结MOS器件，其特征在于，包括：N型衬底；第一N柱、第二N柱和第三N柱，设置于所述N型衬底上，且所述第三N柱设置于所述第一N柱和所述第二N柱之间；其中，所述第一N柱和所述第二N柱的掺杂浓度大于所述第三N柱的掺杂浓度；第一P柱、第二P柱、第三P柱和第四P柱，设置于所述N型衬底上，且所述第二P柱设置于所述第一P柱与所述第一N柱之间，所述第三P柱设置于所述第二N柱与所述第四P柱之间；所述第二P柱的掺杂浓度大于所述第一P柱的掺杂浓度，所述第三P柱的掺杂浓度大于所述第四P柱的掺杂浓度；第一P型基区，形成于所述第一P柱、所述第二P柱和所述第一N柱上；第二P型基区，形成于所述第三P柱、所述第四P柱和所述第二N柱上；栅极介质层和栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述第三N柱上，且位于所述第一P型基区和所述第二P型基区之间，其中，所述栅极多晶硅层由所述栅极介质层包裹；第一P型源区和第一N型源区，形成于所述第一P型基区上；第二P型源区和第二N型源区，形成于所述第二P型基区上；源极层，与所述第一P型源区、第一N型源区、第二P型源区和第二N型源区接触；栅极层，与所述栅极多晶硅层接触；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。
全文数据：
权利要求：
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