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申请/专利权人：浙江正泰电器股份有限公司
摘要：本申请涉及一种金属基体表面沉积石墨烯层的方法、金属石墨烯复合导体及其应用，方法包括：S1，在金属基体表面制备第一混合层，在第一混合层的表面制备第二混合层，金属基体包括第一金属，第一混合层和第二混合层均包括第一金属和第一金属的氧化物，第二混合层的第一金属氧化物含量高于第一混合层；S2，将金属基体升温并通入含碳气体，以还原第一金属的氧化物，并气相沉积石墨烯层。通过氧化铜含量不同的第一混合层和第二混合层配合，调整氧的释放速率，使得氧的释放速率相对均匀，并延长氧的释放时间，实现氧释放伴随整个气相沉积过程的作用，有利于在气相沉积过程中更好地改善金属表面，形成大晶格、取向性较好的石墨烯层。
主权项：1.一种金属基体表面沉积石墨烯层的方法，其特征在于，包括：S1，在金属基体表面制备第一混合层，在所述第一混合层的表面制备第二混合层，所述金属基体包括第一金属，所述第一混合层和所述第二混合层均包括所述第一金属和所述第一金属的氧化物，所述第二混合层的第一金属氧化物含量高于所述第一混合层的第一金属氧化物含量；S2，将所述金属基体升温并通入含碳气体，以还原所述第一金属的氧化物，并气相沉积石墨烯层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江正泰电器股份有限公司 金属基体表面沉积石墨烯层的方法、金属石墨烯复合导体及其应用
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