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申请/专利权人：安世有限公司
摘要：一种包括半导体主体的垂直取向的半导体器件，该半导体器件具有第一主表面并且包括衬底；第一区域，所述第一区域设置在所述衬底上并且具有第一电导率类型；金属层，所述金属层设置在所述第一区域的顶部，使得在所述第一区域和所述金属层之间提供肖特基结；两个横向隔开的岛状物，所述两个横向隔开的岛状物从所述第一主表面向下延伸到所述半导体主体中，所述岛状物具有所述第二电导率类型，其中所述第一区域包括外延层，所述外延层设置在所述衬底上的外延层；和N电流扩展NCS层，所述NCS层设置在所述外延层的顶部，其中所述外延层的掺杂浓度低于所述NCS层的掺杂浓度，并且其中所述NCS层至少覆盖所述两个岛状物的侧壁。
主权项：1.一种包括半导体主体的垂直取向的半导体器件，所述半导体器件具有第一主表面并且包括：-衬底；-第一区域，所述第一区域设置在所述衬底上并且具有第一电导率类型；-金属层2，所述金属层设置在所述第一区域的顶部，使得在所述第一区域和所述金属层之间提供肖特基结；-两个横向隔开的岛状物5，6，所述两个横向隔开的岛状物从所述第一主表面向下延伸到所述半导体主体中，所述岛状物具有第二电导率类型，其中所述第一区域包括：-外延层4，设置在所述衬底上；和-N电流扩展NCS层3，所述NCS层设置在所述外延层的顶部，其中所述外延层的掺杂浓度低于所述NCS层的掺杂浓度，并且其中所述NCS层至少覆盖所述两个岛状物的侧壁，其中所述NCS层设置在至少一个岛状物6周围，从而围绕所述至少一个岛状物6，使得在横向截面中，所述至少一个岛状物6以所述NCS层为边界，所述NCS层并非全面覆盖所述至少一个岛状物6的底面，并且所述NCS层以所述外延层为边界。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 垂直取向的半导体器件的正向和反向特性的改进的控制
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