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申请/专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司
摘要：本发明提供一种相变存储器的下电极的制造方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的方法包括：半导体组件提供步骤：提供半导体组件，半导体组件包括：衬底，形成在衬底上的氧化硅层，氧化硅层中开设有第一开口，第一开口的下部填充有导电材料，第一开口的上部形成第二开口；氮化钛层形成步骤：使用PVD工艺在半导体组件的上表面形成氮化钛层，氮化钛层形成于氧化硅层的上表面，并填充于第二开口中；下电极形成步骤：使用CMP工艺去除氮化钛层的位于氧化硅层上表面的部分，使氮化钛层的填充于第二开口中的部分形成下电极。通过本发明的方法在不影响下电极的膜厚均匀性和电阻均匀性的情况下，能够极大程度的提高相变存储器的下电极的制造速度。
主权项：1.一种相变存储器的下电极的制造方法，包括：半导体组件提供步骤S100：提供半导体组件10，所述半导体组件10包括：衬底1，形成在所述衬底1上的氧化硅层2，所述氧化硅层2中开设有第一开口3，所述第一开口3的下部填充有导电材料4，所述第一开口3的上部形成第二开口5；氮化钛层形成步骤S200：使用物理气相沉积工艺在所述半导体组件10的上表面形成氮化钛层6，所述氮化钛层6形成于所述氧化硅层2的上表面，并填充于所述第二开口5中；下电极形成步骤S300：使用化学机械研磨工艺去除所述氮化钛层6的位于所述氧化硅层2上表面的部分，使所述氮化钛层6的填充于所述第二开口5中的部分形成所述下电极7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京时代全芯存储技术股份有限公司 相变存储器的下电极的制造方法
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