龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种NORFlash器件的形成方法，包括：在衬底内形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的表面高于衬底的表面，浅沟槽隔离结构表面具有凹陷；在衬底的表面形成栅介质层；在浅沟槽隔离结构和衬底的表面形成多晶硅层，多晶硅层同时填充浅沟槽隔离结构表面的凹陷；研磨多晶硅层，以露出浅沟槽隔离结构的表面；继续研磨部分厚度的多晶硅层和浅沟槽隔离结构；以及刻蚀部分厚度的浅沟槽隔离结构，以去除浅沟槽隔离结构表面的凹陷内的残留多晶硅层，剩余的位于衬底的表面的多晶硅层作为浮栅。本发明去除了残留的多晶硅的同时，还使得剩余的浅沟槽隔离结构的表面与栅介质层的表面或者说衬底的表面的台阶差达标了。
主权项：1.一种NORFlash器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述衬底的表面，所述浅沟槽隔离结构表面具有凹陷；在所述衬底的表面形成栅介质层；在所述浅沟槽隔离结构和衬底的表面形成多晶硅层，所述多晶硅层同时填充所述浅沟槽隔离结构表面的凹陷；研磨所述多晶硅层，以露出所述浅沟槽隔离结构的表面；继续研磨部分厚度的多晶硅层和浅沟槽隔离结构；以及刻蚀部分厚度的浅沟槽隔离结构，以去除所述浅沟槽隔离结构表面的凹陷内的残留多晶硅层，剩余的位于所述衬底的表面的多晶硅层作为浮栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 NOR Flash器件的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号