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申请/专利权人：芯立嘉集成电路(杭州)有限公司
摘要：本发明提供一种NOR型快闪存储器阵列及其工艺方法，包含多个存储器单元，被配置为具有行与列的电路组态，各存储器单元包含一通道区、一源极区、一漏极区、一电荷储存物质和一控制栅，沿着一预设方向配置的所述多个存储器单元被分为多个单元配对，使得各所述单元配对分享一共源极区，且所述共源极区被一源极口袋布植区所环绕。所述源极口袋布植区和基板具有相同的导电型态，且所述源极口袋布植区比所述通道区的漏极侧具有更高的杂质浓度。本发明强化通道诱发三次电子程序化效率及改善NOR型快闪阵列中栅极长度少于100纳米的存储器单元的短通道裕度。
主权项：1.一种NOR型快闪存储器阵列，形成于一基板上，其特征在于，包含：多个存储器单元，被配置为具有行与列的电路组态，各存储器单元包含一通道区、一源极区、一漏极区、一电荷储存物质和一控制栅，其中沿着一预设方向配置的所述多个存储器单元被分为多个单元配对，使得各所述单元配对分享一共源极区，且所述共源极区被一源极口袋布植区所环绕；其中，所述源极口袋布植区和所述基板具有相同的导电型态，且所述源极口袋布植区比所述通道区的漏极侧具有更高的杂质浓度；以及其中，于一选定单元配对的一选定存储器单元中，当所述基板被接地、所述源极区被浮接、所述漏极区被施加一漏极电压Vd以及所述控制栅被施加一正电压时，由所述源极口袋布植区至所述电荷储存物质的电子注入率会高于从所述通道区的漏极侧附近至所述电荷储存物质的电子注入率，其中2V＝Vd＝6V。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯立嘉集成电路(杭州)有限公司 NOR型快闪存储器阵列及其工艺方法
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