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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

摘要：本发明涉及一种具有低折射率色散上波导层的氮化镓基半导体激光器。该具有低折射率色散上波导层的氮化镓基半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、上包覆层，所述上波导层包括第一低折射率色散上波导层和第二低折射率色散上波导层；该具有低折射率色散上波导层的氮化镓基半导体激光器，通过调制第一低折射率色散上波导层与量子阱的界面、第二低折射率色散上波导层与上包覆层的界面的共价键能界面陡峭程度和峰值速率电场的界面陡峭程度，控制界面的折射率色散变化程度和界面有效折射率，提升激光的光增益和光限制因子，实现高扭结水平。

主权项：1.一种具有低折射率色散上波导层的氮化镓基半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、上包覆层，其特征在于，所述上波导层包括第一低折射率色散上波导层和第二低折射率色散上波导层；所述第一低折射率色散上波导层的共价键能分布具有函数y＝lnx+1x-1曲线分布；所述第一低折射率色散上波导层的峰值速率电场分布以及重空穴有效质量分布均具有函数y＝xlnx第一象限曲线分布；所述第一低折射率色散上波导层的饱和电子漂移速率分布具有函数y＝x-a第一象限曲线分布，其中a为大于1的奇数；所述第二低折射率色散上波导层的共价键能分布具有函数y＝arccotx第一象限曲线分布；所述第二低折射率色散上波导层的峰值速率电场分布以及饱和电子漂移速率分布均具有函数y＝ex+e-xex-e-x第一象限曲线分布；所述第二低折射率色散上波导层的重空穴有效质量分布具有函数y＝arccotx第一象限曲线分布；所述第一低折射率色散上波导层的共价键能的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为α，所述第二低折射率色散上波导层的共价键能的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为β，所述第一低折射率色散上波导层的共价键能的峰值位置往量子阱方向的下降角度为γ，其中：10°≤β≤γ≤α≤90°；所述第一低折射率色散上波导层的峰值速率电场的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为θ，所述第二低折射率色散上波导层的峰值速率电场的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为δ，所述第一低折射率色散上波导层的峰值速率电场的峰值位置往量子阱方向的下降角度为σ，其中：20°≤δ≤σ≤θ≤90°。

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