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申请/专利权人：苏州芯矽电子科技有限公司

摘要：本发明揭示了一种半导体晶圆清洗装置的清洗方法，包括清洗槽主体和外置的缓冲槽；清洗槽主体内设置有支架，清洗槽主体的内部空间划分成清洗槽和储液槽；装有半导体晶圆的支架使储液槽形成相对密闭空间；缓冲槽与储液槽之间连接设有第一抽吸泵，缓冲槽与清洗槽之间连接设有第二抽吸泵；第一抽吸泵抽取储液槽内的清洗剂，使半导体晶圆的下表面产生微负压；第二抽吸泵抽取缓冲槽中的清洗剂至清洗槽内，清洗剂依靠重力缓慢通过微孔。本发明的有益效果体现在：缓冲槽结合第一、二抽吸泵，第一抽吸泵工作后，半导体晶圆的下表面产生微负压，使半导体晶圆的微孔内保持畅通，解决现有技术中清洗时微孔内存在气泡而导致无法完成100%微孔的清洗问题。

主权项：1.一种半导体晶圆清洗装置的清洗方法，其特征在于：所述半导体晶圆清洗装置包括清洗槽主体（1）、与之相连的外置的缓冲槽（13）；所述清洗槽主体（1）内设置有用于放置半导体晶圆的支架（111），所述支架（111）将所述清洗槽主体（1）的内部空间划分成位于上方的清洗槽（11）和位于下方的存储清洗剂的储液槽（12）；装有半导体晶圆的所述支架（111）使所述储液槽（12）形成相对密闭空间；所述缓冲槽（13）与所述储液槽（12）之间的管道上连接设有第一抽吸泵（21），所述第一抽吸泵（21）工作后抽取位于储液槽（12）内的清洗剂，以使所述半导体晶圆的下表面（32）产生微负压，导致所述半导体晶圆的微孔（30）内的杂质和或气泡被抽落；所述缓冲槽（13）与所述清洗槽（11）之间的管道上连接设有第二抽吸泵（22），所述第二抽吸泵（22）抽取所述缓冲槽（13）中的清洗剂至所述清洗槽（11）内，所述清洗剂从所述半导体晶圆的上表面（31）依靠重力缓慢通过所述微孔（30）；所述清洗槽（11）内还设置有喷淋管道（112）；所述喷淋管道（112）位于所述支架（111）的外侧，且所述喷淋管道（112）朝向所述支架（111）的管壁上均布有一组喷淋口；所述喷淋管道（112）的远端贯穿所述清洗槽（11）的槽壁，并与所述第二抽吸泵（22）出液口之间通过管道连接，所述管道上设置有流量控制阀；所述缓冲槽（13）与所述第一抽吸泵（21）、所述第二抽吸泵（22）之间的管道上设置有过滤器；所述缓冲槽（13）与所述第一抽吸泵（21）、所述第二抽吸泵（22）之间的管道上设置有截止阀；所述清洗槽（11）的两侧设置有滑槽（10），有一盖板（14）通过连接块与所述滑槽（10）连接，且所述盖板（14）与所述连接块枢轴连接；两个所述盖板（14）呈对开式滑动设置，每个所述盖板（14）由两片铰接的板块组成；所述盖板（14）打开时，所述盖板（14）的两个板块呈锐角；所述盖板（14）关闭时，所述盖板（14）的两个板块共面；所述清洗方法包括如下步骤：S0，将所述储液槽（12）中注入清洗剂，并将半导体晶圆放置于所述支架（111）上；S1，启动所述第一抽吸泵（21），抽取所述储液槽（12）中的清洗剂至所述缓冲槽（13）内，使所述半导体晶圆的下表面（32）产生微负压，致使所述半导体晶圆的微孔（30）内的杂质和或气泡抽落；S2，关闭所述第一抽吸泵（21），启动所述第二抽吸泵（22），抽取缓冲槽（13）内的清洗剂至所述清洗槽（11）内，并通过喷淋口将清洗剂缓慢喷洒至所述半导体晶圆的上表面（31），以清洁所述上表面（31）；S3,所述清洗剂从所述半导体晶圆的上表面（31）依靠重力缓慢沿所述微孔（30）内壁向下流落，以清洁所述微孔（30）；S4，关闭所述第二抽吸泵（22），直至所述清洗槽（11）内的清洗剂全部流入所述储液槽（12）后，重复上述步骤S1至步骤S3，直至半导体晶圆清洁干净。

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