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申请/专利权人：青岛天银纺织科技有限公司
摘要：本发明公开一种晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件。本发明的晶体芯片的金属沉积与硅的粘附性好，形成接触时空洞少，能够使晶片与沉积金属的粘结机械强度高，晶片之间的焊层接触热阻小，从而使器件的热阻降低，二次击穿性能好，抗热疲劳循环次数高。另外，本发明的金属沉积后，与硅的欧姆接触好，串联电阻小。
主权项：1.一种晶体芯片混合金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：1使硅晶片的至少部分表面与pH8-10的改性碱溶液接触，得到处理后的表面，所述改性碱溶液包含0.5-10mgml的多巴胺；2使所述硅晶片的处理表面与纳米钯颗粒的分散液接触1-10小时后，取出干燥；3将镀镍液涂布于步骤2得到的硅晶片的处理表面反应1-10分钟，去除镀镍液后干燥，所述镀镍液包含15-20gL的氯化镍、20-30gL的次亚磷酸钠和10-20gL的乙酸钠；4进一步将镀金液涂布于步骤3得到的处理表面反应10-30分钟，去除镀金液后干燥，所述镀金液包含0.5-5gL的氰化金、5-15gL的四硼酸钠、1-5gL的氰化钾和10-20gL的硫代硫酸钠；和5在惰性气氛或真空中加热至120-160℃干燥10-20分钟，然后升温至200-300℃干燥25-35分钟，接下来进一步升温至970-1000℃干燥3-6小时，从而得到金属化硅晶体芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛天银纺织科技有限公司 晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件
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