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申请/专利权人：聚辰半导体股份有限公司

摘要：本发明提供一种自举型半桥驱动器共模电压变化率耐受测试装置，包含：待测半桥驱动电路；升压单元，连接设置在功率电源和半桥驱动电路之间，通过升压单元生成用于测试半桥驱动电路共模电压变换率的冲击电流，并保证半桥驱动电路的共模电压变化率在安全耐受范围内；采样单元，其输入端连接升压单元，获取升压单元的工作电流，并对工作电流进行采样，生成采样电流；比较单元，连接设置在采样单元与升压单元之间，当比较单元判断采样电流是落在升压单元安全工作电流范围内时，比较单元生成用于驱动升压单元工作的驱动信号，比较单元还用于调节所述升压单元安全工作电流范围。本发明还提供一种自举型半桥驱动器共模电压变化率耐受测试方法。

主权项：1.一种自举型半桥驱动器共模电压变化率耐受测试装置，其特征在于，包含：待测试的自举型半桥驱动电路、采样单元、比较单元、升压单元；所述待测试的自举型半桥驱动电路包含：HB脚、HO脚、HS脚、LO脚、GND脚、HI脚、LI脚，GND脚接地；所述升压单元的输入端连接功率电源PVDD，升压单元的输出端连接所述HS脚；通过升压单元生成用于测试半桥驱动电路共模电压变换率的冲击电流；通过测试升压单元输出端与HS脚之间的连接点的共模电压变化率获取半桥驱动电路的共模电压变化率耐受范围，并通过升压单元保证半桥驱动电路的共模电压变化率在安全耐受范围；所述采样单元的输入端连接升压单元，采集升压单元的工作电流Is，通过采样单元用于对所述工作电流Is进行采样，生成采样电流V_1；所述比较单元的输入端连接采样单元的输出端，比较单元的输出端连接升压单元；当比较单元判断V_1落在升压单元安全工作电流范围内，时，比较单元生成用于驱动升压单元工作的驱动信号PWM_GDV；比较单元还用于调节所述升压单元安全工作电流范围；所述比较单元包含比较器COMP1、COMP2，电阻R5、R6、R7、Rd1、Rd2，可调电阻Rp1、Rp2，与门AND；电阻R5连接设置在运算放大器OPA的输出端与比较器COMP1输入端的负极之间；电阻Rd1的第一端接地，可调电阻Rp1的第一端接参考电压V_Ref；电阻Rd1的第二端、可调电阻Rp1的第二端连接比较器COMP1输入端的正极；电阻R6连接设置在运算放大器OPA的输出端与比较器COMP2输入端的正极之间；电阻Rd2的第一端接地，可调电阻Rp2的第二端接参考电压V_Ref，电阻Rd2的第二端、可调电阻Rp2的第二端连接比较器COMP2输入端的负极；比较器COMP1、COMP2的输出端通过电阻R7连接电压VCC；比较器COMP1、COMP2的输出端均连接与门AND的第一输入端，与门AND的第二输入端连接脉宽调制信号PWM1；当V_1落在所述升压单元安全工作电流范围内，与门AND生成所述驱动信号PWM_GDV；通过调整PWM1的占空比，调节升压单元所生成的冲击电流的大小；所述升压单元包含：电感L，电阻Rg1、Rg2，采样电阻Rs，NMOS管Q1、Q2，驱动单元LSGD；NMOS管Q2的占空比可任意配置；电感L的第一端连接功率电源PVDD，电感L的第二端通过电阻Rg1连接NMOS管Q1的栅极，电感L的第二端连接NMOS管Q1的源极、NMOS管Q2的漏极和所述HS脚；驱动单元LSGD的第一端连接与门AND的输出端，驱动单元LSGD的第二端通过电阻Rg2连接NMOS管Q2的栅极，驱动单元LSGD的第三端接地；NMOS管Q2的源极连接采样电阻Rs的第一端、电阻R1的第一端；采样电阻Rs的第二端接地；NMOS管Q2的源极电流为所述工作电流Is；还包含负载单元；所述负载单元包含母线电容C和可调电阻RL；母线电容C的第一端、可调电阻RL的第一端连接NMOS管Q1的漏极，母线电容C的第二端、可调电阻RL的第二端接地；所述采样单元包含运算放大器OPA，电阻R1、R2、R3；电阻R1的第一端连接升压单元，获取所述工作电流Is，电阻R1的第二端连接运算放大器OPA输入端的负极、电阻R2的第一端；电阻R3的第一端接地，电阻R3的第二端、电阻R4的第一端连接运算放大器OPA输入端的正极；电阻R2的第二端连接运算放大器OPA的输出端；电阻R4的第二端连接偏移电压V_Offset。

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