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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种基于导电桥阈值开关器件的1S1C存储器及其操作方法，该1S1C存储器包括导电桥阈值开关器件和电容，导电桥阈值开关器件中的选通层为对称结构，包括第一离子层、转换层和第二离子层，构成具有正反向导通特性的选通管；在1S1C存储器上施加电脉冲，当加载在选通层两端的电压差大于阈值电压时，第一离子层或第二离子层中的活性金属离子进入转换层形成导电细丝，选通层处于低阻态；当该电压差降为小于保持电压时，转换层中的导电细丝断裂，选通层变为高阻态，电容两端电压维持在一稳定值，利用电容上存储的电荷量和极性实现数据存储。本发明可有效提升1S1C存储器的刷新周期，降低功耗，且还能简化其操作方法的设计。
主权项：1.一种基于导电桥阈值开关器件的1S1C存储器，其特征在于，包括串联的导电桥阈值开关器件和电容，所述导电桥阈值开关器件包括由下而上依次形成的选通层下电极层、选通层和上电极层；其中，所述选通层为对称结构，包括由下而上依次形成的第一离子层、转换层和第二离子层，用于构成具有正反向导通特性的选通管，具有正反向阈值电压Vth1和Vth2及正反向保持电压Vhold1和Vhold2；在1S1C存储器上施加电脉冲，当加载在选通层两端的电压差由第一离子层指向第二离子层且幅值大于Vth1时，第一离子层中的活性金属离子进入转换层形成导电细丝，当加载在选通层两端的电压差由第二离子层指向第一离子层且幅值大于Vth2时，第二离子层中的活性金属离子进入转换层形成导电细丝，当导电细丝形成时，选通层处于低阻态；当所述电压差由大于Vth1降为小于Vhold1或者由大于Vth2降为小于Vhold2时，所述转换层中的导电细丝断裂，此时选通层变为高阻态，电容两端电压维持在一稳定值，利用电容上存储的电荷量和极性实现数据存储；其中，所述选通层在低阻态和高阻态所对应的电容电压通过调节第一离子层和第二离子层的活性金属占比、转换层的材料和厚度实现。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种基于导电桥阈值开关器件的1S1C存储器及其操作方法
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