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申请/专利权人：上海鲲游科技有限公司
摘要：本发明提供了一种深度连续渐变超表面单元及方法，超表面单元具有若干同心圆环组成的深度连续渐变超表面子单元，每个超表面子单元的结构可以相同或不同，每个所述同心圆环的直径不同，线宽和间距可完全相同或部分不同，来调制超表面子单元的不同参数，为本领域超表面结构的设计提供更多的选择；通过修正补偿不同功能区域内的刻蚀深度，优先对刻蚀深度进行调整补偿，以形成深度连续渐变的功能区域以进行后续的刻蚀操作，调整不同位置的刻蚀深度，尽可能地减少在第二材料层的过刻蚀情况，使得刻蚀形成的深度连续渐变超表面单元在底部尽可能少地形成过刻蚀，改善深度连续渐变超表面的工艺步骤，提高刻蚀精度，使得光学产品的光学性能更优异。
主权项：1.一种深度连续渐变超表面单元，其特征在于，至少包括第一材料层，所述第一材料层的任一表面包括至少一个功能区域，所述功能区域内包括若干深度连续渐变的超表面子单元，每一个所述超表面子单元包括若干个同心圆环。
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权利要求：
百度查询： 上海鲲游科技有限公司 一种深度连续渐变超表面单元及方法
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