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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种或非非挥发性记忆体装置、非挥发性记忆体装置及其制造方法。非挥发性记忆体装置包括半导体基板、选择晶体管及储存装置。半导体基板具有多个鳍型结构。选择晶体管形成于半导体基板上，选择晶体管包括设置在定位于鳍型结构的第一部分上方的第一介电隔离层上方的栅极层，其中选择晶体管为P通道金属氧化物半导体晶体管。储存装置形成于半导体基板上，储存装置包括设置在定位于鳍型结构上的第二部分上方的第二介电隔离层上方的储存栅极层，其中储存栅极层配置以捕获多个电荷，且其中储存装置为P通道储存装置，其中选择晶体管耦接至储存装置。鳍型结构的第一部分邻近鳍型结构的第二部分。
主权项：1.一种非挥发性记忆体装置，其特征在于，包含：一半导体基板，包含多个鳍型结构；一选择晶体管，形成于该半导体基板上，该选择晶体管包含设置在定位于所述多个鳍型结构的一第一部分上方的一第一介电隔离层上方的一栅极层，其中该选择晶体管为一P通道金属氧化物半导体晶体管；及一储存装置，形成于该半导体基板上，该储存装置包含设置在定位于所述多个鳍型结构上的一第二部分上方的一第二介电隔离层上方的一储存栅极层，其中该储存栅极层配置以捕获多个电荷，且其中该储存装置为一P通道储存装置；其中该选择晶体管耦接至该储存装置；且其中所述多个鳍型结构的该第一部分邻近所述多个鳍型结构的该第二部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 或非非挥发性记忆体装置、非挥发性记忆体装置及其制造方法
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