龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉大学
摘要：一种电离层TEC数据补全方法、装置、设备及存储介质，涉及电离层技术领域，其中，电离层TEC数据补全方法包括：将不同时刻的MIT‑TEC图的缺失地区作为掩膜进行提取；利用提取的掩膜数据对对应时刻的IGS‑TEC图进行覆盖，得到缺失的IGS‑TEC图；将缺失的IGS‑TEC图作为AOT‑GAN模型的输入，将完整的IGS‑TEC图作为AOT‑GAN模型的输出，以对AOT‑GAN模型进行训练；利用训练好的AOT‑GAN模型对MIT‑TEC图的数据进行修复，以将MIT‑TEC图的缺失地区的数据补充完整。本申请可使得MIT‑TEC不仅能够反映电离层TEC中小尺度变化特征，还能够对全球范围内电离层TEC的时空变化进行呈现。
主权项：1.一种电离层TEC数据补全方法，其特征在于，所述电离层TEC数据补全方法包括：将不同时刻的MIT-TEC图的缺失地区作为掩膜进行提取；利用提取的掩膜数据对对应时刻的IGS-TEC图进行覆盖，得到缺失的IGS-TEC图；将缺失的IGS-TEC图作为AOT-GAN模型的输入，将完整的IGS-TEC图作为AOT-GAN模型的输出，以对AOT-GAN模型进行训练；利用训练好的AOT-GAN模型对MIT-TEC图的数据进行修复，以将MIT-TEC图的缺失地区的数据补充完整。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 一种电离层TEC数据补全方法、装置、设备及存储介质
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号