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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本申请提供一种双波段图像传感器晶圆及其制造方法、双波段图像传感器及其制造方法，本申请采用第一施主衬底和第一受主衬底键合后去除部分厚度的第一施主衬底获得紫外传感层，通过在第二施主衬底上形成短波红外传感层，并且键合第二施主衬底以及第一受主衬底、第一键合层和紫外传感层构成的第二受主衬底从而形成双波段图像传感器晶圆，既能够降低双波段图像传感器晶圆的制造成本，又能够兼容CMOS工艺，并且短波红外传感层和紫外传感层之间具有第三键合层，从而避免了短波红外传感层和紫外传感层晶格失配、热失配和极性失配的问题，提高制造得到的双波段图像传感器晶圆的性能。
主权项：1.一种双波段图像传感器晶圆的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一施主衬底和提供第一受主衬底；所述第一施主衬底为吸收紫外波段的半导体材料，所述第一施主衬底的一侧形成有第一键合层；以所述第一键合层朝向所述第一受主衬底的方向键合所述第一施主衬底和所述第一受主衬底；去除部分厚度的第一施主衬底，得到紫外传感层，所述第一受主衬底、所述第一键合层和所述紫外传感层构成第二受主衬底；提供第二施主衬底，在所述第二施主衬底上形成短波红外传感层，所述短波红外传感层为吸收红外波段的半导体材料，所述短波红外传感层的材料至少包括锗；在所述短波红外传感层的一侧形成第三键合层；以所述第三键合层朝向所述第二受主衬底的方向键合所述第二受主衬底和所述第二施主衬底；去除所述第二施主衬底，得到双波段图像传感器晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 双波段图像传感器晶圆及其制造方法、双波段图像传感器及其制造方法
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