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申请/专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司
摘要：本申请公开一种TOPCon电池及其制备方法，该制备方法包括在电池正面形成局部钝化接触结构，提高了电池正面的表面钝化效果，降低了正面复合电流密度，提升了电池的开路电压，从而提升了电池的转换效率。其次，通过激光工艺对N型多晶硅层中的磷原子和P型多晶硅层中的硼原子进行重新分布及激活，形成致密的正面氧化硅层和背面氧化硅层，以省略传统PECVD工艺中的退火工序，简化了工艺流程，提高生产良率的同时降低了制造成本。此外，在N型硅片背面形成图形化的P型多晶硅层结构，进一步减少了电池背面的寄生吸收，提高了电池的短路电流和整体转换效率。
主权项：1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：N型硅片通过制绒槽进行一次制绒，形成第一绒面结构；S2：通过湿法酸槽链式机对N型硅片的背面进行酸抛光，去除N型硅片背面的第一绒面结构；S3：通过PECVD工艺，在N型硅片的正面沉积正面隧穿氧化层和正面多晶硅层，再进行磷扩工艺，在N型硅片的正面形成N型多晶硅层；通过PECVD工艺，在N型硅片的背面沉积背面隧穿氧化层和背面多晶硅层，再进行硼扩工艺，在N型硅片的背面形成P型多晶硅层；S4：通过激光工艺，对N型硅片的正面细栅区域进行激光掺杂，同时在激光作用区域的N型多晶硅层表面形成一层致密的正面氧化硅层；通过激光工艺，对N型硅片的背面细栅区域进行激光掺杂，同时在激光作用区域的P型多晶硅层表面形成一层致密的背面氧化硅层；S5：N型硅片通过制绒槽进行二次制绒，去除非激光区域的P型多晶硅层、N型多晶硅层、正面隧穿氧化层和背面隧穿氧化层，同时在N型硅片背面的非激光区域形成第二绒面结构；S6：通过ALD方式在硅片背面镀氧化铝层；S7：通过PECVD工艺，在N型硅片的背面沉积背面减反射膜；通过PECVD工艺，在N型硅片的正面沉积正面减反射膜；S8：丝网印刷、烧结及测试分选。
全文数据：
权利要求：
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