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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种分离式深栅LDMOS器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区、分离式深栅结构及场板结构，体区、漂移区、源区及漏区形成于衬底中，体区与源区相接，漂移区与漏区相接；分离式深栅结构包括多个嵌入体区内的纵向深栅，相邻两个纵向深栅之间通过体区相互隔离；场板结构包括多个嵌入漂移区内的场氧化层，相邻两个场氧化层之间通过漂移区相互隔离；相邻两个纵向深栅之间的体区与相邻两个场氧化层之间的漂移区相接，多个纵向深栅分别与多个场氧化层相接。本发明采用分离式的纵向深栅结构和场板结构形成多个导电沟道，增加栅对沟道的控制，增加器件的导通电流，从而降低导通电阻。
主权项：1.一种分离式深栅LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区、分离式深栅结构及场板结构；所述体区、漂移区、源区及漏区形成于衬底中，所述体区与所述源区相接，所述漂移区与所述漏区相接；所述分离式深栅结构包括多个嵌入体区内的纵向深栅，相邻两个纵向深栅之间通过体区相互隔离；所述场板结构包括多个嵌入漂移区内的场氧化层，相邻两个场氧化层之间通过漂移区相互隔离；相邻两个纵向深栅之间的体区与相邻两个场氧化层之间的漂移区相接；所述纵向深栅底部的体区与所述场氧化层底部的漂移区相接；多个所述纵向深栅分别与多个所述场氧化层相接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 浙江大学 分离式深栅LDMOS器件及制造方法、芯片
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