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申请/专利权人:昆明理工大学
摘要:本发明公开了一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法,其特征在于,包括以下步骤:将有机硅废触体和废浆渣真空干燥,并用振动磨研磨后过50~150目筛网;研磨后的样品放置于氮气和空气的混合气氛中,在300~500℃下进行氧化焙烧1~8h,得到低碳含量的硅粉。本发明通过焙烧,使有机硅废触体和废浆渣中的有机碳得到充分挥发去除,为了控制金属硅粉的氧化,选择低温氧化焙烧、较短的焙烧时间以及控制氧化气氛,使物料中的无机碳与氧气反应生成一氧化碳或二氧化碳气体逸出,在减少硅氧化的同时提高杂质碳的去除率;通过该工艺所得硅粉的碳含量较低,其性能更优,可作为硅冶炼企业的原料、硅系孕育剂,达到废物再利用的目的。
主权项:1.一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法,其特征在于,由以下步骤组成:1:将有机硅废触体和废浆渣真空干燥,并用振动磨研磨后过50~150目筛网;2:研磨后的样品放置于由体积比为氮气:空气=1:3~1:5的氮气和空气组成的混合气氛中,在300~500℃下进行氧化焙烧1~8h,得到低碳含量的硅粉。
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权利要求:
百度查询: 昆明理工大学 一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法
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