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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开了一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法，其特征在于，包括以下步骤：将有机硅废触体和废浆渣真空干燥，并用振动磨研磨后过50～150目筛网；研磨后的样品放置于氮气和空气的混合气氛中，在300～500℃下进行氧化焙烧1～8h，得到低碳含量的硅粉。本发明通过焙烧，使有机硅废触体和废浆渣中的有机碳得到充分挥发去除，为了控制金属硅粉的氧化，选择低温氧化焙烧、较短的焙烧时间以及控制氧化气氛，使物料中的无机碳与氧气反应生成一氧化碳或二氧化碳气体逸出，在减少硅氧化的同时提高杂质碳的去除率；通过该工艺所得硅粉的碳含量较低，其性能更优，可作为硅冶炼企业的原料、硅系孕育剂，达到废物再利用的目的。
主权项：1.一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法，其特征在于，由以下步骤组成：1：将有机硅废触体和废浆渣真空干燥，并用振动磨研磨后过50～150目筛网；2：研磨后的样品放置于由体积比为氮气：空气＝1:3～1:5的氮气和空气组成的混合气氛中，在300～500℃下进行氧化焙烧1～8h，得到低碳含量的硅粉。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种去除有机硅废触体和废浆渣中碳的方法
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