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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：本发明提供一种事件检测传感器，其包括：光电二极管；电流电压转换电路，其包括：第一晶体管，第一晶体管的栅极连接至光电二极管；第二晶体管，第二晶体管的源极或漏极连接光电二极管；以及第三晶体管，第三晶体管的源极或漏极连接第一晶体管的源极或漏极和第二晶体管的栅极；缓冲器，缓冲器连接至电流电压转换电路；第一电容器，第一电容器连接至缓冲器；以及比较器，比较器连接至第一电容器，比较器设置成基于参考电压与第二电压的比较结果输出事件检测信号，第二电压基于施加至第一电容器的第一电压，其中，第一基板包括光电二极管、第一晶体管和第二晶体管，并且，层叠至第一基板的第二基板包括第三晶体管。
主权项：1.一种事件检测传感器，其特征在于，包括：光电二极管；电流电压转换电路，其包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接至所述光电二极管；第二晶体管，所述第二晶体管的源极连接所述光电二极管；以及第三晶体管，所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的栅极；缓冲器，所述缓冲器连接至所述电流电压转换电路；减法器，所述减法器包括连接至所述缓冲器的第一电容器；以及比较器，所述比较器连接至所述减法器，所述比较器设置成基于参考电压与第二电压的比较结果输出事件检测信号，所述第二电压基于施加至所述减法器的第一电压，其中，第一芯片包括所述光电二极管、所述第一晶体管和所述第二晶体管，并且，层叠至所述第一芯片的第二芯片包括所述第三晶体管，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的导电类型不同于所述第三晶体管的导电类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 事件检测传感器
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