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申请/专利权人：上海芯之翼半导体材料有限公司
摘要：本发明公开了一种提升干法刻蚀均匀度的装置及方法，通过在静电吸盘的侧面上围绕设置位置校正机构，使位置校正机构紧密贴附于静电吸盘的侧面上形成同心状态，可在对聚焦环进行安装时，使聚焦环紧密套设于位置校正机构的外侧面上，并利用位置校正机构作用于聚焦环上的横向弹性力，使聚焦环得到相对于静电吸盘的自动对中以定位安装，并形成通过位置校正机构均匀隔离的安装间隙，因而在对晶圆进行工艺时，能在晶圆上获得分布均匀的等离子体，从而有效提升了干法刻蚀的均匀度，并由此提高了晶圆上的边缘良率。本发明有效解决了聚焦环安装时的居中难题，具有技术简单，效果明显的优点。
主权项：1.一种提升干法刻蚀均匀度的装置，其特征在于，包括：设于刻蚀设备中的基座；设于所述基座上的位置校正机构；所述基座的表面上设有静电吸盘，所述静电吸盘的外侧设有聚焦环，所述聚焦环与所述静电吸盘之间具有安装间隙；所述位置校正机构紧密贴附于所述静电吸盘的侧面上，并定位于所述安装间隙中，且所述位置校正机构的外周与所述静电吸盘的外周同心，所述聚焦环通过紧密套设于所述位置校正机构的外侧面上，得到来自所述位置校正机构外侧面的横向弹性力的作用，实现相对于所述静电吸盘的自动对中以定位并安装。
全文数据：
权利要求：
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