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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：一种方法可以包括以读取参考电压执行单读取操作以检测来自存储单元的位。虚拟数据在先被编程到存储单元中。可以基于默认读取参考电压和虚拟数据的已知值来确定存储单元的原始位。对检测到的位和原始位进行比较以确定较高状态失败位计数FBC和较低状态FBC，该较高状态FBC与具有从高于读取参考电压移位到低于读取参考电压的阈值电压的存储单元相对应，该较低状态FBC与具有从低于读取参考电压移位到高于读取参考电压的阈值电压的存储单元相对应。当较高状态FBC与较低状态FBC之间的差小于阈值时，可以将读取参考电压确定为最佳读取参考电压。
主权项：1.一种方法，包括：以第一电平的读取参考电压执行单读取操作，以检测来自存储器件中的一组存储单元的位，虚拟数据在先被编程到所述一组存储单元中；基于默认读取参考电压和所述虚拟数据的已知值来确定所述一组存储单元的原始位，当所述虚拟数据最初被编程到所述一组存储单元中时，所述原始位与所述一组存储单元的初始阈值电压相对应；对检测到的位和所述原始位进行比较以确定较高状态失败位计数FBC和较低状态FBC，所述较高状态FBC是与具有从高于所述读取参考电压移位到低于所述读取参考电压的阈值电压的存储单元相对应的翻转位的第一数量，所述较低状态FBC是与具有从低于所述读取参考电压移位到高于所述读取参考电压的阈值电压的存储单元相对应的翻转位的第二数量；以及响应于所述较高状态FBC与所述较低状态FBC之间的差小于阈值，确定所述第一电平的所述读取参考电压为最佳读取参考电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 NAND存储器的基于虚拟数据的读取参考电压搜索
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