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申请/专利权人：深圳佰维存储科技股份有限公司
摘要：本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，对已写入预设测试数据的所有存储单元进行环绕访问，在环绕访问过程中得到比较结果，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，相对于现有技术中通过突发读写模式进行的内存测试，难以检测到多存储单元故障，本发明能够覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，使桥接故障和耦合故障等多存储单元故障得到激发，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。
主权项：1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤：对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；所述测试包括：对所述待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；以预设突发长度为单位对所述待测试的DRAM进行遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的整个存储阵列；对于遍历到的所述预设突发长度对应的目标存储单元，对所述目标存储单元写入所述预设测试数据的反数，并对所述目标存储单元进行环绕读取数据，将读取到数据与对应写入的数据进行比较；第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果；对所述目标存储单元进行环绕读取数据包括：确定与所述目标存储单元相邻的存储单元，得到相邻存储单元集合；对所述相邻存储单元集合中的相邻存储单元按照预设顺序逐个地进行数据的读取，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较直至所述相邻存储单元集合中的每一个相邻存储单元均被读取数据；对所述目标存储单元的数据进行读取，将读取的数据与所述预设测试数据的反数进行比较。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳佰维存储科技股份有限公司 DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
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