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申请/专利权人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司

摘要：本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道；释放牺牲层，以形成间隙层；形成绝缘层，绝缘层密封释放孔；在均压通道内对振膜层进行刻蚀，以形成与均压通道连通的均压孔；在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀，以形成背腔，背腔通过均压孔与均压通道连通，以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层，提高产品的可靠性。

主权项：1.一种微差压芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底（10），在所述衬底（10）的一侧形成振膜层（30）；在所述振膜层（30）背离所述衬底（10）的一侧形成牺牲层（40）；对所述牺牲层（40）进行刻蚀，以形成沿所述衬底（10）厚度方向贯穿所述牺牲层（40）的第一通孔（44）；在所述牺牲层（40）背离所述衬底（10）的一侧依次形成第二介质层（60）和导电层（70），对所述导电层（70）进行图案化处理，介质材料和导电材料在所述第一通孔（44）内填充形成第一支撑结构（82）；依次对所述导电层（70）和所述第二介质层（60）进行刻蚀，以形成沿所述衬底（10）厚度方向贯穿所述第二介质层（60）和导电层（70）的释放孔（81）以及沿所述衬底（10）厚度方向贯穿所述第一支撑结构（82）的均压通道（821），所述释放孔（81）的刻蚀停留至所述牺牲层（40），所述均压通道（821）的刻蚀停留至所述振膜层（30）；通过所述释放孔（81）释放所述牺牲层（40），以在所述振膜层（30）与所述第二介质层（60）之间形成间隙层（4）；在所述导电层（70）背离所述衬底（10）的一侧形成绝缘层（90），所述绝缘层（90）密封所述释放孔（81），所述间隙层（4）外缘位置具有开口（401），所述间隙层（4）通过所述开口（401）与外界空间连通；在所述均压通道（821）内对所述振膜层（30）进行刻蚀，以在振膜层（30）上形成与所述均压通道（821）连通的均压孔（32）；在所述衬底（10）背离所述振膜层（30）的一侧对所述衬底（10）进行刻蚀，以形成背腔（101），所述背腔（101）通过所述均压孔（32）与所述均压通道（821）连通，以得到微压差芯片。

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